Transistor 2N7000 Mosfet

Especificaciones técnicas:

-Polaridad del transistor: Canal N
-Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
-Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
-Corriente continua de drenaje ID: 200 mA
-Corriente de drenaje pulsada IDP: 1 A
-Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 400 mW
-Temperatura de operación mínima: -55 °C
-Temperatura de operación máxima: 150 °C
-Encapsulado: TO-92
-Número de pines: 3